1，防止BEC空中损坏失控炸鸡，当BEC空中损坏情况下，后备电源可以继续供电给陀螺仪和舵机，安全迫降；
2，防止动力电插头脱焊完全失控炸鸡，当动力电插头脱焊，BEC和动力全部没有了，完全失控了，后备电源可以继续供电给陀螺仪和舵机，安全迫降；
3，分担BEC供电压力，当BEC大功率输出降压时，后备电源可以帮助BEC一起输出，减小降压；
4，减小、缓冲舵机的反电动势。
然而，鱼和熊掌不可兼得，有得必有失，那么失在哪里呢？
那就是后备电源电流倒灌，烧毁BEC。据本人所知，已经有3起后备电源倒灌进BEC的案例，都是操作不慎造成的。人食五谷，孰能无过，总有疏忽的时候。3起案例中，第一起是好赢V3-100A，第二起是好赢V4-160A，这2起案例都是后备电源倒灌进BEC，后烧毁了电调。第三起是蝎子200A，因为倒灌进BEC时间较短，及时发现，所以侥幸逃过了，人品好呀
。那么为什么后备电源的电流会倒灌进BEC呢？
见下图，不管是P-MOS还是N-MOS，大多会有一个寄生二极管存在（也有个别mos不存在寄生二极管）。P-MOS正向导通方向应该是源极S流向漏极D，但在P-MOS内部存在着一个反向的寄生二极管，他的电流方向是漏极D流向源极S，就是在不管在正向导通和不导通状态下，电流方向都可以从漏极D流向源极S。说得再通熟易懂一点，就是原来设计的输出的，可以无条件的倒灌回去。N-MOS也一样，见图，不重复详细说明。
现在我们知道了倒灌是无条件可以倒灌的，那么倒灌会不会损坏电调呢？
这就要看情况了和人品了
。无条件倒灌是不可避免的，如果后备电源的电仅仅倒灌进BEC，是没什么问题的，就算倒灌一天也不会有问题。可怕的是疏忽大意，不小心关闭了熄火开关，启动了电机，就是后备电源的电倒灌进BEC，然后又流出，去启动了电机，这样BEC就要被烧坏了。BEC的MOS多小啊，怎么能扛得住启动一个电机呢，肯定要烧了。上述2起烧毁BEC的案例就是这样引起的，没烧坏的蝎子200A运气好，发现及时，立即打开熄火，还好没有烧。所以要防止后备电源倒灌烧毁BEC，一就是要我们自己防范，在接着后备电源时候，千万别关闭熄火，启动电机。二就是靠硬件防范了。所以国产精品好赢电调发现这个问题后，在V4.1 200A版本改进了BEC防倒灌设计，不会烧毁BEC。
特别注意，还有一种情况，再没有及时反应情况下，也可能倒灌造成烧毁BEC。
就是上述第二种情况发生（当动力电插头脱焊，BEC和动力全部没有了，完全失控了，后备电源可以继续供电给陀螺仪和舵机，安全迫降），这种情况下，动力电断开，后备电源开始供电迫降，并且后备电源电流倒灌进BEC，当还没来得及切熄火的话，后备电源的电会倒灌进BEC后再输出让电机继续运行，这样的话，BEC就烧毁了。
但是目前市面上好赢V3,V4以及蝎子很多电调还是没有硬件上的防倒灌设计，怎么办呢？重点来了，二极管不是就是单向导通的吗，加一个二极管不就好了嘛！
二极管的种类很多，用的最多的是肖特二极管，电路简单，直接加在电路正向导通就可以。但是也存在一个我们模型很忌讳的问题，也是所有电路工程师很头疼的问题，就是降压。质量好的肖特二极管低功耗工作状态最低降压可以达到0.2V，中等功耗工作状态降压可以达到0.3V，功耗稍微大一点，降压可以达到0.5V
，那么大。。。我也是昨天实验了才知道尽然有那么大的降压。实验所用的二极管是20A45V的肖特二极管，在只上电，不打舵情况下，回传显示降压0.2V，慢速打舵降压0.3V，稍微（只是稍微）快一点打舵降压0.5V。我们简单算一下功耗，好赢160A的BEC输出10A，我们打个8折，算是8A，0.5V的降压*8A=4W功耗，就是如果加一个二极管的确可行，但是损失的就是功耗，舵机速度变慢，原来BEC开7.4V，现在只有6.9V了，原来开8V，现在只有7.5V了，而且还被二极管消耗掉很多功率，显然不是最佳的方案。
什么硬件才是可防止BEC倒灌的最佳方案呢？重点中的重点来了，{:1_34:}这就是OR-ing电路的应用。
我们回顾一下刚才的MOS寄生二极管吧。MOS反向导通的寄生二极管一直存在的，可以无条件导通，那么正向导通呢，就不是那么简单的了，需要一定条件才可以导通的。那我们不就可以利用这个特性，需要常导通的方向我们就利用MOS反向导通的寄生二极管的方向，防止倒灌的方向我们就不满足他导通的条件，这样不是就可以了吗，而且最大的优点是MOS寄生二极管在一定条件下的反向导通内阻极低，降压极低，功耗极少，经本人实验测试，降压在0.01V-0.02V之间。简单折中计算，8A*0.015V=0.12W的功耗。完全可以满足我们的最佳方案。
我们看下电路图吧。
图中的一颗MOS系P-MOS。P-MOS正向导通的条件是VG<VS，当VGS相等情况下，MOS正向不能导通。那么我们就可以这样做，电调BEC输出就利用MOS的寄生二极管特性，电调BEC防止倒灌，用P-MOS的VGS相等不能正向导通的方式来实现，而这个P-MOS的VG栅极电压接高电平还是低电平，完全由一个芯片就可以控制。
经本人实验完全能胜任BEC防倒灌的最佳方案，从电调插头开始就防倒灌，后备电源的电流连风扇这里都倒灌不到，而且看BEC回传电压，看不出有降压的表现。
但是，因为电调本身没有防倒灌设计，所以这个防倒灌设计电路只能加在电调BEC输出线外面，像延长线一样加一根。看下测试视频吧
装睡的人是叫不醒的