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为什么建议用同型号的?因为:
1.内阻不同。新FET内阻大,那么根据欧姆定律,则必须由原来的低内阻FET承担更多的电流。这样性能指标必然下降。新的FET内阻小,则要看新FET的数量(即损坏的原FET的数量)。如果原FET损坏的不多,则新的FET必须要承担更多的电流,结果是新FET很容易过流烧坏。如果原FET大半阵亡,那么干脆一锅端全部换掉算了。对于大容量的电调尤其如此
2.栅极电容不同。换FET不能只看内阻,还必须看栅极电容。这直接关系到驱动电路是否能够驱动足够多的FET。德国LMT的FET用的是SI4842。我曾经用内阻相当的FET去并联,想扩容。但结果相当不好。电调就象一个醉汉,工作极其不稳定。后来经过总结发现高电流(60A以上)、高FET数的电调的FET驱动电路是相当讲究的。不是什么FET都可以随便往上用。栅极电容高的FET和栅极电容低的FET共用的结果就是前者打开和关断的速度要慢,结果要不断承受瞬间过流(每次开关都会有一次),结果不仅它们的负荷比原来的FET高得多、容易过流烧坏,而且还导致时序不正确,电调不能正常工作。
xh的这款电调就是大电流电调。所以不能不仔细。 |
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