原帖由 luft 于 2011-5-18 10:14 发表 
电调ＭＯＳ管，有些电调以Ｎ管和Ｐ管等对管形式，有些则全为Ｎ管或Ｐ管，是不是因为驱动电路的关系？
好象用对管的是用三极管驱动，而全为Ｎ管的是用ＩＲ２１０２等驱动管驱动的？？
为了便于理解，我绘了个N/P沟道和全N沟道MOSFET驱动原理图。
如下：左侧的是N/P组合驱动，右侧是全N驱动
由原理图可见：
N/P组合的只要一路驱动电压。因为当驱动电压是高电平时，下端的N沟道导通、上端的P沟道截止；当驱动电压是低电平时，上端的P沟道导通、下端的N沟道截止。
而全N沟道的，需要有两路驱动电压，控制上、下端的管子轮流导通，这就是为何需要增加一个IR2101这样的“高低电位驱动器”的原因。
另：全用N沟道的成本高的观点错了。大电流、低内阻的P沟道MOSFET制造工艺比相同参数的N沟道MOSFET复杂得多、难度也大。所以应该是P沟道的价格更贵。
N/P组合与全N的两种驱动电路各有利弊：
简单地说N/P组合式的优点是驱动电路简洁、成本低廉，但由于管子的开启和截止电压的差异、电路设计不合理、配对管型不合理时，有可能出现上、下端的N管和P管同时导通的情况。这就等于将电源直接短路了，结果就是烧了驱动管。而且，常常是P沟道的更容易烧毁（器件自身特点造成的）。
全N沟道的优点是驱动管成本低廉，容易做出大电流的驱动器。且因为上、下端有了专用的高低电位驱动器IR2101，就不会出现同时导通的严重问题了（高低电位驱动器有死区保护，除非IR2101出现损坏），弊端是不光电路里要增加高低电位驱动器，还要在电路上增加一个高压偏置电路，为上端的那个MOSFET提供足够高的、用于开启MOSFET的偏压。
综上所述，全N沟道的电路更可靠、更合理。
[ 本帖最后由 LFQC 于 2011-5-18 19:40 编辑 ] |
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发表于 2011-5-18 10:14
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