3年过去了终于有点了解（无感电调原理波形）

Himalaya

tcjsjxx 发表于 2016-3-2 22:28
哦。我看过一个电调，它的上臂就是一个三极管驱动一个PMOS。
然后下臂就是一个半桥来驱动一个NMOS.
我 ...

P+N MOS方式的驱动部分简单便宜，仅见于低端简易电调。因为PMOS的性能远低于同价位的NMOS，所以像样点的电调全NMOS。

tcjsjxx

北落师门 发表于 2016-3-3 07:06
电调驱动没仔细研究过，你看到的那种是P管和N管混用的方式，上臂就是用三极管驱动，给P管栅极提供负压， ...

综合二位的说法，我有个想法。当时看那个电调，确实2个MOS管不是同一厂家的，可能性能差异不小。为了弥补下管的PWN的开关速率问题，因此下管用桥式驱动（下管可能速度性能较弱？）

但是对于上管和下管都是输入的一种复合波形，也就是换向方波叠加PWM波形？

的确这个P+NMOS是一种10A 小功率2S以上的电调的结构，楼上师兄说得很对。有它同系列的另外一种电调，那个是全N，而且支持20A ，需要自举升压。但是上臂，下臂都用了桥式驱动。可能电流大了，开关损耗不容小觑了吧。

北落师门

tcjsjxx 发表于 2016-3-4 16:38
综合二位的说法，我有个想法。当时看那个电调，确实2个MOS管不是同一厂家的，可能性能差异不小。为了弥补 ...

要说性能差异最大的还是管子的过流能力和内阻之类的，驱动做好了开关速度其实差别不大，不管用半桥还是三极管，MOS都还是比较好驱动的。
想了解电调的话有个文章可以看看的，我找不到哪里上传附件，给你标题去网上找吧，叫《无感无刷直流电机之电调设计全攻略》

tcjsjxx

北落师门 发表于 2016-3-5 07:06
要说性能差异最大的还是管子的过流能力和内阻之类的，驱动做好了开关速度其实差别不大，不管用半桥还是三 ...

哦。好的。非常感谢。

stylecheng

北落师门 发表于 2016-3-3 07:06
电调驱动没仔细研究过，你看到的那种是P管和N管混用的方式，上臂就是用三极管驱动，给P管栅极提供负压， ...

便宜的电调下臂都是单片机IO口直接驱动的。
加了半桥驱动反而会影响MOS管的开关速度，不过影响不会很大基本上可以忽略。
但不加半桥驱动的话会存在另一个问题。
一般单片机工作电压是3.3或5V的。这个电压虽然可以让NMOS导通，但是在3.3或5V时MOS管DS两级之间阻值还比较大。
所以加个半桥驱动可以减小MOS管的DS两级之间的阻值（半桥驱动带升压功能）
下面是AON6508规格书中找出来的DS两级之间在不同电压下的阻值
RDS(ON) (at VGS=10V)< 3.2mΩ   
RDS(ON) (at VGS = 4.5V)< 5mΩ

北落师门

stylecheng 发表于 2016-10-3 22:15
便宜的电调下臂都是单片机IO口直接驱动的。
加了半桥驱动反而会影响MOS管的开关速度，不过影响不会很大 ...

对的，单片机电压不够，很多1S的小电调就无所谓了，功率不大，而且要压缩体积。
不过我也很怀疑单片机的驱动能力，大些的MOS输入电容就要好几千pF，有的还是多管并联的，如果要保证开关速度还是要加驱动。
这种情况下一般不会炸管，对开关效率有影响，我不是专门搞驱动的没试过。MOS带负载比空载驱动要费力些，所以空载看起来没问题的带了负载不一定可以，保证驱动电流足够还是很重要的。

sjzzhsx

路过帮顶…

乐乐asdfg

天空@飞翔

这个帖子做的好。

payne_pan

天空@飞翔 发表于 2017-1-3 08:47
这个帖子做的好。

看这个帖子的第8讲更详细。

http://bbs.5imx.com/forum.php?mod=viewthread&tid=1240955