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楼主: lkj_net
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发表于 2004-11-11 11:47 | 只看该作者
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发表于 2004-11-11 13:07 | 只看该作者
支持,但是有些难,能不能从简单的开始做?
23
 楼主| 发表于 2004-11-11 15:37 | 只看该作者
不能上传图片,无法发帖!!!
24
发表于 2004-11-11 16:11 | 只看该作者
先将图象文件的分辩率下调,使文件容量减小再传。:em20:
25
发表于 2004-11-11 17:11 | 只看该作者
呵呵~
26
发表于 2004-11-11 22:28 | 只看该作者
大家学习!!不管结果是失败还是成功!!只要制作!学习过!!
27
 楼主| 发表于 2004-11-11 23:36 | 只看该作者
快来呀!!! 偶在书上又看到新东西了!!!

功放管选用IRL3803是因为大家看中它的参数:
        
大概最感兴趣的是哪个0.006欧姆,不过偶觉得它的电流更重要。记得曾用双臂电桥测量过胜利万用表的表笔,约0.4欧姆;所以把电机的电源线改粗一些、把那个香蕉插头改为螺钉的接线柱可能更好些。
  好了,继续讨论功放。功放的末级的一般形式如图:
      
  若选用一对互补的三极管来做功放末级,设计工作就变得非常容易了!!!
            
不过半导体工业能提供的P型大功率晶体管(PNP、P沟道)却很少,即使有价格也不菲。
      
设计工作只能舍简就繁,用N型晶体管来做功放管。
            
  仔细观察一下,图中的T2在导通时,可以认为Uc=Ue;其Ube约为0.6V。这个电压利用电阻分压Ud得到。而T1在导通时,Uc=Ue=Ud;其Ube也为0.6V,T1基极的电压:
                 Ub=Uc+Ube=Ud+Ube=12+0.6=12.6V(设计时电源电压为12V)
由于电源电压=12V,要获得12.6V较难,有人就将T1的b极接在Ud上(当然中间还要通过电阻或三极管之类);这时T1没有工作在饱和区,其导通电阻较大,导通电流较小;会使电机启动困难,功率下降。
  若用MOS做功放管,情况似乎更糟。下面是IRL3803的特性曲线图,横轴为电源电压,纵轴为导通电流Id,曲线为栅极与源极之间的电压Vd。
      
从图中看到,Vd=2V时,Id=0.04(A)。要想IRL3803能够输出100(A),必须使得Vd=4.0V。这时在功放电路中T1的栅极与地之间的电压Vdg=Ud+Vd=12+4.0=16(V)。

  怎样才能得到这个16V 呢???
28
发表于 2004-11-12 00:48 | 只看该作者
好的~但非本专业,还是不太懂~高人指点~
29
发表于 2004-11-12 09:00 | 只看该作者
lkj_net 的绝对好贴!:em26:

通过并列的3个功放 来控制3个电机绕组[a、b、c],

若t1、t3、t5的偏置固定,在t2、t4、t6的b极输入轮流的来自霍尔的感应信号,

则已实现驱动工作。

关键是霍尔的实际接线图没有上啊!
:em15:
30
发表于 2004-11-12 11:42 | 只看该作者
hnvvv  在 2004-11-12 09:00 发表:

lkj_net 的绝对好贴!:em26:

通过并列的3个功放 来控制3个电机绕组[a、b、c],

若t1、t3、t5的偏置固定,在t2、t4、t6的b极输入轮流的来自霍尔的感应信号,

则已实现驱动工作。

关键是霍尔的实际接线 ...


多交流交流,给有感的未来添一笔~
31
发表于 2004-11-12 12:22 | 只看该作者
用IR2101、IR2103等可直接驱动N沟MOSFET管做的桥臂,它内部集成了自举泵电源,轻松实现上桥臂驱动,具体可上www.irf.com.cn
32
发表于 2004-11-12 14:51 | 只看该作者
高人越来越多了啊~~~~一起讨论~
33
发表于 2004-11-12 15:10 | 只看该作者
lkj_net  在 2004-11-11 23:36 发表:

快来呀!!! 偶在书上又看到新东西了!!!

功放管选用IRL3803是因为大家看中它的参数:
        
大概最感兴趣的是哪个0.006欧姆,不过偶觉 ...


1,随着电流增大,温度升高,内阻上升,造成功耗增大,温度再升高
2,6毫欧是25度时的理论值
3,这类封装的管子,to220绝对电流不可能超过70安培
4,单个3803,不加散热片,电流最大不超过19安培
5,小功率控制器,还是用P和N管,如irf7425配irf7455合适,电流小,内阻影响可不考虑
34
发表于 2004-11-12 15:19 | 只看该作者
资料越来越丰富了~
35
发表于 2004-11-15 00:55 | 只看该作者

... [/quote]



搞的太~~~~
你干脆把书都弄上来!!!
要得到**V的电压(就那么电电流要那么复杂???)
一个电感一两个三极管几个电阻电容不到2CM的PCB面积就OK

[ Last edited by wang01958 on 2004-11-15 at 00:57 ]
36
 楼主| 发表于 2004-11-15 11:28 | 只看该作者
wang01958  在 2004-11-15 12:55 AM 发表:


...




搞的太~~~~
你干脆把书都弄上来!!!
要得到**V的电压(就那么电电流要那么复杂???)
一个电感一两个三极管几个电阻 ... [/quote]

靠一个电感一两个三极管几个电阻,做一个给偶看看!!!传份图试试!!!
37
发表于 2004-11-15 12:10 | 只看该作者
这很好嘛。BBS上太缺乏这样较深入讨论的帖子了,他把相关信息资料贴上来省得我自己到处翻不是很好吗?哈哈!

[ Last edited by wxyyz on 2004-11-15 at 12:33 ]
38
发表于 2004-11-15 12:48 | 只看该作者
lkj_net兄真逗,我来帮帖
39
发表于 2004-11-15 18:09 | 只看该作者
靠~~高手就是高手~~都是学院派的!!!!!!!!!!!!!!!!!!好!!!!!!!!!!
告诉你们最直接的办法,买个IR2101或者2301都可以直接用了.
2101的好处是便宜,2.5元1个同时高低端能够直驱,也同时能让高低端都获取和VCC1样的电压.
2301是可以在5V下面运行的.2101至少7V.
3套才7.5圆,包成功.还省掉从MCU出来的电阻.而且1臂可以至少驱动10个IRL3803.而且隔离电压600V~~~~~看你要做多大.
自己去找IR2101.PDF,里面的电容我推荐用105-225的35V耐压1206封装的钽电容,二极管就1N4148就可以了,如果想NB些就用1N4937.
IRL3803不是最好的FET,还是找找其他的,例如FDD6686这样的TO252小管更好
40
发表于 2004-11-15 20:57 | 只看该作者
奇怪了,一个升压就这么复杂 ?
一个DC模块就搞定了,体积又小,可靠成本低。
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