好盈的芯片资料哈哈

发烧钉

感谢好盈技术部门提供宝贵的资料。让我们买好盈更多了一份透明

12A: FDS6679*3+IRF7832*3
18A: AO4407*6+IRF7832*3
30A: AO4407*9+ IRF7832*6

区别就是我们的是原装正品，XXD 的是拆机件，拆机件本身有些是品质不良，有内伤，并且外观，焊接都很差，很容易出问题，正品和拆机件的价格相差 5倍以上，
一个好的电调，不光管子要好，还有很多其它部件也要好，比如线路板也很重要，很多细节问题。这个就像去市场上买苹果，有的苹果很便宜，有得则很贵，这里的区别我想大家都很清楚。

IRF7832 NMOS 最大4.8毫欧，反向二极管3.1A持续，这个的确比XXD好
FDS6679 10毫欧，不考虑反向二极管。和XXD打平
AO4407，正常GS电压下20毫欧，不如XXD的。
不过论散热平均的话，和NMOS差不多了。




[ 本帖最后由 发烧钉 于 2009-4-29 09:27 编辑 ]

rcsuannai

我倒 大哥您问这个 人家技术部能回复才怪 哈哈：）

zxr5737436

:em15:

feilee

IR7832    AO4407  IR7805

发烧钉

:em16: 7832，果然比XXD牛逼

发烧钉

AO4407???????????

这个比XXD的参数要差一些啊，为啥呢？

nnn_ooo_111

看不懂
IRF7832 NMOS 最大4.8毫欧，反向二极管3.1A持续，这个的确比XXD好
FDS6679 10毫欧，不考虑反向二极管。和XXD打平
AO4407，正常GS电压下20毫欧，不如XXD的。
不过论散热平均的话，和NMOS差不多了。

XXD的什么型号的调，用的是什么管子，这些都没有怎么比？
比如我HP的电脑，用E7300处理器，比联想的好，能这么说吗？

[ 本帖最后由 nnn_ooo_111 于 2009-4-29 09:55 编辑 ]

michaelzyh

P沟管太弱了，显然是瓶颈…
不如用全N的

[ 本帖最后由 michaelzyh 于 2009-4-29 10:30 编辑 ]

法拉夏利

原帖由 nnn_ooo_111 于 2009-4-29 09:51 发表
看不懂
IRF7832 NMOS 最大4.8毫欧，反向二极管3.1A持续，这个的确比XXD好
FDS6679 10毫欧，不考虑反向二极管。和XXD打平
AO4407，正常GS电压下20毫欧，不如XXD的。
不过论散热平均的话，和NMOS差不多了。

XXD ...

lz当然是说12A 18A 30A同级别比...